【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、超先进半导体工艺需要采用超通孔和栅极切断工艺。当栅极切断工艺与金属连接工艺集成时，需要考虑金属连接结构与栅极结构之间的短路问题，金属连接结构与栅极结构之间的距离需要足够大才能满足可靠性性能。
2、因此，需要改进栅极切断工艺和金属连接工艺的集成。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提升半导体结构的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底上的栅极结构和层间介质层，所述层间介质层还位于所述栅极结构侧壁，所述栅极结构平行于第一方向，所述第一方向平行于所述衬底表面；位于所述层间介质层内的栅隔离结构，所述栅隔离结构沿平行于衬底表面的第二方向贯穿所述栅极结构，所述第二方向与所述第一方向相互垂直，所述栅隔离结构包括第一区和位于所述第一区上的第二区，所述第一区在所述衬底表面具有第一投影，所述第二区在所述衬底...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构和所述层间介质层表面还具有保护层；所述栅隔离结构还位于所述保护层内。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：源漏层，位于所述栅极结构在沿所述第二方向上的两侧的所述衬底内；金属结构，位于所述层间介质层内，所述金属结构与所述源漏层电连接，且平行于所述第一方向；所述连接层与所述金属结构电连接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述层间介质层表面的第一介质层；所述金属结构还位于所述第一介质层内。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构和所述层间介质层表面还具有保护层；所述栅隔离结构还位于所述保护层内。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：源漏层，位于所述栅极结构在沿所述第二方向上的两侧的所述衬底内；金属结构，位于所述层间介质层内，所述金属结构与所述源漏层电连接，且平行于所述第一方向；所述连接层与所述金属结构电连接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述层间介质层表面的第一介质层；所述金属结构还位于所述第一介质层内。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层表面的刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层表面的第二介质层；所述连接层位于所述刻蚀停止层和所述第二介质层内。
6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅隔离结构之前，且在形成所述初始栅极结构和所述层间介质层之前，还在所述初始栅极结构和所述层间介质层上形成保护层；所述栅隔离结构还位于所述保护层内。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅隔离结构的形成方法包括：刻蚀所述保护层、所述初始栅极结构和所述层间介质层，直到暴露出所述衬底，在所述初始栅极结构和所述层间介质层内形成第一凹槽和位于所述第一凹槽上的初始第二凹槽，所述初始第二凹槽还位于所述保护层内，所述第一凹槽和所述初始第二凹槽均平行于所述第二方向，且所述初始第二凹槽与所述第一凹槽相连通；在所述第一凹槽内形成牺牲层；在形成所述牺牲层之后，刻蚀所述初始第二凹槽侧壁，形成第二凹槽，所述第一凹槽在所述衬底表面的投影位于所述第二凹槽在所述衬底表面的投影范围内；在形成所述第二凹槽之后，去除所述牺牲层，使所述第一凹槽暴露；在所述第一凹槽和所述第二凹槽内形成所述栅隔离结构。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二凹槽的形成工艺包括干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一者或两者的结合；所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括卤族元素气体，刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭雯，于海龙，韩静利，彭轩懿，董开拓，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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