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本发明提供了一种BCD器件及其制备方法，包括衬底、外延层、超结VDMOS单元及若干平面晶体管单元，外延层位于衬底的第一表面，外延层内具有第一区域和至少一个第二区域，第二区域内具有至少一个第一中压阱；超结VDMOS单元包括至少两个第二中压阱及...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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