【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种bcd器件及其制备方法。
技术介绍
1、bcd(bipolar-cmos-dmos)技术是一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作二极管(bipolar)、cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体场效应管)和dmos(double-diffused metal oxide semiconductor，双扩散金属氧化物半导体场效应管)，因此简称为bcd技术。
2、工作电压在45v～100v的bcd器件广泛应用于dcdc电源和电机驱动等汽车电子产品中。ldmos(lateral double-diffused metal oxide semiconductor，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)单元因为其平面结构所带来良好兼容性，而被bcd工艺广泛应用，但其电流能力有限，只能满足小功率场景的使用。相较ldmos单元，vdmos(vertical double-diffused metal oxide semicon...
【技术保护点】
1.一种BCD器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的BCD器件，其特征在于，所述衬底及所述外延层具有第一掺杂类型，所述第一中压阱具有第二掺杂类型。
3.如权利要求2所述的BCD器件，其特征在于，所述超结VDMOS单元还包括：
4.如权利要求3所述的BCD器件，其特征在于，所述超结VDMOS单元还包括：
5.如权利要求3所述的BCD器件，其特征在于，所述外延层至少具有从下至上依次堆叠的第一子外延层和第二子外延层，所述第一中压阱和所述第二中压阱均位于所述第一子外延层和部分所述第二子外延层中，所述第一中压阱和所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种bcd器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的bcd器件，其特征在于，所述衬底及所述外延层具有第一掺杂类型，所述第一中压阱具有第二掺杂类型。
3.如权利要求2所述的bcd器件，其特征在于，所述超结vdmos单元还包括：
4.如权利要求3所述的bcd器件，其特征在于，所述超结vdmos单元还包括：
5.如权利要求3所述的bcd器件，其特征在于，所述外延层至少具有从下至上依次堆叠的第一子外延层和第二子外延层，所述第一中压阱和所述第二中压阱均位于所述第一子外延层和部分所述第二子外延层中，所述第一中压阱和所述第二中压阱的底部位于所述第一子外延层中。
6.如权利要求3所述的bcd器件，其特征在于，所述第一源极接触区具有所述第一掺杂类型，所述第二中压阱、所述第一低压阱及所述第一体接触区均具有所述第二掺杂类型。
7.如权利要求2所述的bcd器件，其特征在于，所述平面晶体管单元包括mos单元、三极管单元及二极管单元中的至少一种。
8.如权利要求7所述的bcd器件，其特征在于，所述mos单元包括cmos单元、nmos单元及pmos单元中的至少一种。
9.如权利要求7所述的bcd器件，其特征在于，所述三极管单元包括纵向/横向npn三极管单元及纵向/横向pnp三极管单元中的至少一种。
10.如权利要求7所述的bcd器件，其特征在于，所述二极管单元包括常规二极管单元及齐纳二极管单元中的至少一种。
11.如权利要求8所述的bcd器件，其特征在于，所述cmos单元包括：
12.如权利要求11所述的bcd器件，其特征在于，所述cmos单元还包括：
13.如权利要求11所述的bcd器件，其特征在于，所述第三低压阱、所述第二源极接触区和所述第一漏极接触区均具有所述第一掺杂类型，所述第二低压阱、所述第三源极接触区和所述第二漏极接触区均具有所述第二掺杂类型。
14.如权利要求8所述的bcd器件，其特征在于，所述nmos单元包括：
15.如权利要求14所述的bcd器件，其特征在于，所述nmos单元还包括：
16.如权利要求14所述的bcd器件，其特征在于，所述第五低压阱、所述第四源极接触区和所述第三漏极接触区均具有所述第一掺杂类型，所述第四低压阱及所述第二体接触区均具有所述第二掺杂类型。
17.如权利要求8所述的bcd器件，其特征在于，所述pmos单元包括：
18.如权利要求17所述的bcd器件，其特征在于，所述pmos单元还包括：
19.如权利要求17所述的bcd器件，其特征在于，所述第七低压阱及所述第三体接触区均具有所述第一掺杂类型，所述第六低压阱、所述第五源极接触区和所述第四漏极接触区均具有所述第二掺杂类型。
20.如权利要求8所述的bcd器件，其特征在于，所述三极管单元包括：
21.如权利要求20所述的bcd器件，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚国亮，李杰，张邵华，吴建兴，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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