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本发明公开了一种三维结构GaN集成电路芯片及其制备方法，该芯片包括：GaN基底和从下之上依次交错层叠的多级布线介质层和隔离介质层，在第n级的布线介质层和第n‑1级的隔离介质层之间夹设有至少一个第n级集成电路，n为正整数，第0级的隔离介质层为...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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