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本公开整体涉及包括铋锑(BiSb)层的自旋轨道转矩(SOT)器件。SOT器件还包括非磁性缓冲层、非磁性夹层、铁磁层和非磁性阻隔层。该阻隔层、夹层和缓冲层中的一者或多者包含多晶非霍伊斯勒合金材料，或霍伊斯勒合金和选自Cu、Ag、Ge、Mn、N...
该专利属于西部数据技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过西部数据技术公司授权不得商用。

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