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本发明公开了集成异质结二极管的碳化硅MOSFET，包括从下至上依次设置的漏极金属层、碳化硅N型掺杂衬底、碳化硅N型外延区、碳化硅N型电流扩展层，碳化硅N型电流扩展层中间内嵌有碳化硅P型埋层，碳化硅N型电流扩展层的两端分别设有沟槽栅极氧化层，...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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