【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率半导体器件，涉及集成异质结二极管的碳化硅mosfet；本专利技术还涉及集成异质结二极管的碳化硅mosfet的制作方法。
技术介绍
1、碳化硅mosfet在高压大功率领域得到广泛应用，例如光伏逆变器、风力逆变器、工业高功率电源、高压直流输电(hvdc)和电动汽车等场景。沟槽型mosfet在沟槽底部和拐角处引入了额外的电场，这可能对器件的性能和可靠性产生负面影响。针对这一问题，目前主要商用器件结构是沟槽底部引入p+屏蔽层的c-tmos。该结构为了保护栅氧化层底部，降低栅氧化层电场，引入了p+屏蔽层，虽然在一定程度上降低了栅氧化层电场，但是在很大程度上增加了器件的导通电阻。
2、另一方面碳化硅mosfet工作在电力电子系统中通常需要反并联二极管进行续流，但在电路端，外接反并联二极管一方面增加了系统的成本和整体体积。另一方面还会引入杂散电感，导致电磁干扰(emi)问题并且会产生电压尖峰，从而影响器件的高频开关性能和系统可靠性。理论上碳化硅mosfet可以利用自身体二极管进行续流，但由于sic材料宽禁带的特点使得碳化...
【技术保护点】
1.集成异质结二极管的碳化硅MOSFET，其特征在于：包括从下至上依次设置的漏极金属层(14)、碳化硅N型掺杂衬底(1)、碳化硅N型外延区(2)、碳化硅N型电流扩展层(3)，碳化硅N型电流扩展层(3)中间内嵌有碳化硅P型埋层(4)，碳化硅N型电流扩展层(3)的两端分别设有沟槽栅极氧化层(9)，每个沟槽栅极氧化层(9)的底部设有碳化硅P型屏蔽层(5)，碳化硅N型电流扩展层(3)的上侧两端分别设有碳化硅P型基区(6)，每个碳化硅P型基区(6)的上方同时设有碳化硅N型源区(8)和碳化硅P型源区(7)，碳化硅N型电流扩展层(3)的顶部中心处设有异质结多晶硅区(10)。
...【技术特征摘要】
1.集成异质结二极管的碳化硅mosfet，其特征在于：包括从下至上依次设置的漏极金属层(14)、碳化硅n型掺杂衬底(1)、碳化硅n型外延区(2)、碳化硅n型电流扩展层(3)，碳化硅n型电流扩展层(3)中间内嵌有碳化硅p型埋层(4)，碳化硅n型电流扩展层(3)的两端分别设有沟槽栅极氧化层(9)，每个沟槽栅极氧化层(9)的底部设有碳化硅p型屏蔽层(5)，碳化硅n型电流扩展层(3)的上侧两端分别设有碳化硅p型基区(6)，每个碳化硅p型基区(6)的上方同时设有碳化硅n型源区(8)和碳化硅p型源区(7)，碳化硅n型电流扩展层(3)的顶部中心处设有异质结多晶硅区(10)。
2.根据权利要求1所述的集成异质结二极管的碳化硅mosfet，其特征在于：每个所述碳化硅p型基区(6)的外侧设有沟槽栅极氧化层(9)，每个沟槽栅极氧化层(9)内填充有沟槽栅极n型多晶硅(11)。
3.根据权利要求2所述的集成异质结二极管的碳化硅mosfet，其特征在于：每个所述沟槽栅极n型多晶硅(11)的上方设有栅极金属层(12)。
4.根据权利要求3所述的集成异质结二极管的碳化硅mosfet，其特征在于：所述碳化硅n型源区(8)、碳化硅p型源区(7)、栅极金属层(12)及异质结多晶硅区(10)的上方设有源极金属层(13)。
5.根据权利要求4所述...
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