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本发明公开了属于无机块状材料制备领域的一种化学气相沉积低温生长ＺｎＳ设备和工艺方法。该内容主要包括：通过采用具有非封闭边界属性的沉积室硬件结构；同时对沉积室进行表面处理；沉积产品经过原位变温热处理，有效地解决了低温ＣＶＤＺｎＳ材料起拱和开裂...该专利属于北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司授权不得商用。