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本发明涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。上述背接触太阳能电池包括单晶硅衬底、隧穿氧化层、第一掺杂类型多晶硅层、第二掺杂类型多晶硅层、本征非晶硅层、第一电极以及第二电极;所述隧穿氧化层设置在所述单晶硅衬底的一侧上,所述第一掺杂类型多晶硅层...该专利属于江门普乐开瑞太阳能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江门普乐开瑞太阳能科技有限公司授权不得商用。
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