背接触太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。上述背接触太阳能电池包括单晶硅衬底、隧穿氧化层、第一掺杂类型多晶硅层、第二掺杂类型多晶硅层、本征非晶硅层、第一电极以及第二电极；所述隧穿氧化层设置在所述单晶硅衬底的一侧上，所述第一掺杂类型多晶硅层、所述第二掺杂类型多晶硅层和所述本征非晶硅层分别设置在所述隧穿氧化层上，所述本征非晶硅层设置在所述第一掺杂类型多晶硅层和所述第二掺杂类型多晶硅层之间，所述第一电极连接于所述第一掺杂类型多晶硅层，所述第二电极连接于所述第二掺杂类型多晶硅层。上述背接触太阳能电池能够防止漏电通道的产生，并且本征非晶硅层能够对单晶硅衬底进行化学钝化，提升电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、能源是世界经济和社会发展的基础，未来能源需求将随着世界经济的发展而增长，光伏发电作为一种可持续的能源替代方式近年来迅速发展。

2、目前光伏电站所用的太阳能电池主要是晶体硅太阳能电池，经过正面陷光、金属化性能的改进、硅片质量的提升，电池已经由铝背场电池发展为至今的topcon电池，为了更极限的追求晶体硅太阳能理论转换效率，全背电极接触晶硅太阳能电池（bc电池）渐渐被人们认为是最有可能成为量产的具有较高转换效率的电池。

3、全背电极接触晶硅太阳能电池（bc电池）将电池的所有金属电极设置在电池背面，由于电池正面没有金属电极的遮挡，能够最大化电池吸收太阳光的面积，减少光学损失，从而提升光电转换效率。然而，此类电池同时在背面设置p区和n区，p区和n区之间容易形成漏电通道，降低电池效率。因此此类电池的漏电通道的形成将是成为约束最高效率的难点工艺。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种背接触太阳能电池及其制备方法，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅衬底、隧穿氧化层、第一掺杂类型多晶硅层、第二掺杂类型多晶硅层、本征非晶硅层、第一电极以及第二电极；所述隧穿氧化层设置在所述单晶硅衬底的第一侧上，所述第一掺杂类型多晶硅层、所述第二掺杂类型多晶硅层和所述本征非晶硅层分别设置在所述隧穿氧化层上，所述本征非晶硅层设置在所述第一掺杂类型多晶硅层和所述第二掺杂类型多晶硅层之间，所述第一电极连接于所述第一掺杂类型多晶硅层，所述第二电极连接于所述第二掺杂类型多晶硅层。

2.如权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1nm~3nm；和/或

<p>3.如权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅衬底、隧穿氧化层、第一掺杂类型多晶硅层、第二掺杂类型多晶硅层、本征非晶硅层、第一电极以及第二电极；所述隧穿氧化层设置在所述单晶硅衬底的第一侧上，所述第一掺杂类型多晶硅层、所述第二掺杂类型多晶硅层和所述本征非晶硅层分别设置在所述隧穿氧化层上，所述本征非晶硅层设置在所述第一掺杂类型多晶硅层和所述第二掺杂类型多晶硅层之间，所述第一电极连接于所述第一掺杂类型多晶硅层，所述第二电极连接于所述第二掺杂类型多晶硅层。

2.如权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1nm~3nm；和/或

3.如权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池包括正面钝化减反射层，所述正面钝化减反射层设置在所述单晶硅衬底的第二侧上。

4.如权利要求1~3中任一项所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池包括背面钝化减反射层，所述背面钝化减反射层整体覆盖在所述第一掺杂类型多晶硅层、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧文凯，张鹏，张东威，申品文，张麟，韩基强，胡珊，
申请(专利权)人：江门普乐开瑞太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：