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本申请公开了一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体，属于SiC生产加工技术领域。SiC衬底包括第一表层、第二表层和中间层；同一轴线上，在所述第一表层中任意平行于第一主表面或第二主表面的平面处，Smax<subgt;1<...
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