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本发明提供了一种半导体存储器的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，可先在基底的第一区和浅沟槽隔离结构上形成包含第一盖层的位线材料层，在基底的第二区内形成栅极结构，然后去除位于所述浅沟槽隔离结构上的位线材料层的部分所述第一盖层，以让基...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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