一种半导体存储器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体存储器的制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明专利技术中，可先在基底的第一区和浅沟槽隔离结构上形成包含第一盖层的位线材料层，在基底的第二区内形成栅极结构，然后去除位于所述浅沟槽隔离结构上的位线材料层的部分所述第一盖层，以让基底的第一区和第二区之间的浅沟槽隔离结构上的位线材料层的顶面低于所述第一区和第二区中的位线材料层的顶面(通过凹槽的形式体现)，之后，再在所述第一区和具有凹槽的浅沟槽隔离结构上顺型形成第二盖层，从而在保证第一区中的位线结构的高度符合产品设计要求的同时，降低了第一区边缘附近的浅沟槽隔离结构上形成的位线结构的高度，提高了半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体存储器的制备方法。

技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)属于一种挥发性存储器，包括由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array area)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各个存储单元是由一个晶体管(transistor)以及与所述晶体管电连接的一个电容(capacitor)构成，由所述晶体管控制所述电容中的电荷的存储或释放，来达到存储资料的目的。控制电路通过横跨阵列区并且与各个存储单元电连接的字线(word line,wl)与位线(bit line,bl)，可定址至各个存储单元来控制各个存储单元的资料的存取。

2、为了缩小存储单元的尺寸而制造出具备更高集密度的芯片，存储单元的结构已朝向三维(three-dimensional)发展，例如采用埋入式字线连接(buriedwordline)以及堆叠式电容(stacked capacitor)。堆叠式电容垂直设置在衬底上方，藉此可节省电容所占据的衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，所述形成位线材料层还包括在所述基底的第二区形成所述位线材料层，以形成栅极结构。

3.如权利要求2所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，在形成位于所述基底的第二区上的所述栅极结构之后，还包括：

4.如权利要求3所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述刻蚀阻挡层之后，还包括：

5.如权利要求4所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述绝缘介质层之后，还包括：

6.如权利要求5所述的半导体存储器的制备...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，所述形成位线材料层还包括在所述基底的第二区形成所述位线材料层，以形成栅极结构。

3.如权利要求2所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，在形成位于所述基底的第二区上的所述栅极结构之后，还包括：

4.如权利要求3所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述刻蚀阻挡层之后，还包括：

5.如权利要求4所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述绝缘介质层之后，还包括：

6.如权利要求5所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：

7.如权利要求5所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：

8.如权利要求6所述的半导体存储器的制备方法，其特征在于，在形成所述凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建山，许培育，蔡建成，江丽贞，张议丹，张昊，晋墩尚，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：