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本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及基于双层压电层的MEMS芯片制备工艺，包括以下步骤：准备衬底，依次间隔生长金属层和压电层；刻蚀最上层金属层和最上层压电层；在中间金属层和最上层金属层的表面生长第一隔离层；刻蚀第一隔离层；刻蚀中间金属层、...
该专利属于合肥领航微系统集成有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥领航微系统集成有限公司授权不得商用。

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