一种基于双层压电层的MEMS芯片制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及基于双层压电层的MEMS芯片制备工艺，包括以下步骤：准备衬底，依次间隔生长金属层和压电层；刻蚀最上层金属层和最上层压电层；在中间金属层和最上层金属层的表面生长第一隔离层；刻蚀第一隔离层；刻蚀中间金属层、最下层压电层和最下层金属层；在衬底的表面和最下层金属层的表面生长第二隔离层；刻蚀第二隔离层；刻蚀第一隔离层，使需要电连互通的金属层裸露；在金属层的表面生长金属连接层，刻蚀金属连接层，使金属连接层图形化，并通过隔离层隔离，使金属层两两互通，且电路独立互不关联。本发明专利技术可在双层压电层的芯片上，实现三层金属层两两独立互联，丰富器件构型，扩大芯片的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本说明书一个或多个实施例涉及半导体工艺，尤其涉及基于双层压电层的mems芯片制备工艺。

技术介绍

1、目前，具有双层压电层的晶圆，极大的丰富了压电mems器件的结构设计，在双层压电层结构中，有两层压电层，三层金属层。在一些特殊的结构设计中，需要这三层金属层，各自独立互联，以实现需要的器件构型，为此，提出一种实现上述需求的基于双层压电层的mems芯片制备工艺解决上述出现的问题。

技术实现思路

1、本专利技术旨在解决
技术介绍
中提出的问题，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出基于双层压电层的mems芯片制备工艺，可在双层压电层的芯片上，实现三层金属层两两独立互联，丰富器件构型，扩大芯片的应用范围。

2、基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种基于双层压电层的mems芯片制备工艺，包括以下步骤：准备衬底，衬底具有相对的正面及背面，在衬底的正面依次间隔生长金属层和压电层；刻蚀最上层金属层，使最上层金属层图形化；刻蚀最上层压电层，使最上层压电层图形化；在中间金属层和最上层金属层的表面生长第一隔离层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于双层压电层的MEMS芯片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于双层压电层的MEMS芯片制备工艺，其特征在于，所述隔离层(7，8)包括氮化硅、氧化硅或氧化铝中的一种或几种组合。

3.根据权利要求1所述的基于双层压电层的MEMS芯片制备工艺，其特征在于，所述衬底(1)为硅衬底。

4.根据权利要求1所述的基于双层压电层的MEMS芯片制备工艺，其特征在于，所述衬底(1)为SOI衬底。

【技术特征摘要】

1.一种基于双层压电层的mems芯片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于双层压电层的mems芯片制备工艺，其特征在于，所述隔离层(7，8)包括氮化硅、氧化硅或氧化铝中的一种或几种组合。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾晓梅，詹同舟，
申请(专利权)人：合肥领航微系统集成有限公司，
类型：发明
国别省市：