下载一种选择性Poly-Si钝化接触的TOPCon电池及制备工艺的技术资料

文档序号:43772912

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本发明涉及光伏技术领域,公开了一种选择性Poly‑Si钝化接触的TOPCon电池及制备工艺,包括在电池背面沉积的多晶硅Poly‑Si层,所述多晶硅Poly‑Si层包括多晶硅薄层区域和多晶硅厚层区域;所述多晶硅厚层区域位于栅线电极区域,厚度>...
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