一种选择性Poly-Si钝化接触的TOPCon电池及制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及光伏技术领域，公开了一种选择性Poly‑Si钝化接触的TOPCon电池及制备工艺，包括在电池背面沉积的多晶硅Poly‑Si层，所述多晶硅Poly‑Si层包括多晶硅薄层区域和多晶硅厚层区域；所述多晶硅厚层区域位于栅线电极区域，厚度＞100nm；所述多晶硅薄层区域位于非栅线电极区域，厚度＜95nm。本发明专利技术通过在TOPCon电池背面整个区域沉积＞100nm非晶硅膜层，然后借助激光工艺在非栅线电极区域减薄，制得非晶硅膜层栅线电极区域厚度＞100nm，非栅线电极区域厚度＜95nm，不仅能够避免在印刷烧结后的电极区域背面浆料烧穿的问题，同时非电极区域非晶硅膜层变薄，降低掺杂非晶硅层对近红外光吸收，解决了大面积的非电极受光区域非晶硅膜层寄生吸收大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，具体而言，涉及一种选择性poly-si钝化接触的topcon电池及制备工艺。

技术介绍

1、晶硅topcon电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池技术，其电池结构主要为n型硅作为衬底电池，在电池背表面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层磷掺杂非晶硅薄膜，二者共同形成了钝化接触结构，其中磷掺杂非晶硅层提供了良好的场钝化效果并对载流子选择性通过，对提升电池开路电压、短路电流和填充因子起到了至关重要的作用。然而，掺杂非晶硅层会吸收近红外光，减少电池背表面对近红外光的有效反射，引起背表面的光损失，薄膜越厚带来的光损失越大。因此，从电池效率和制造成本综合考虑，低膜厚的选择性磷掺杂非晶硅层无疑是topcon电池背接触钝化结构的最佳选择。

2、但受限于现有背面浆料特性，目前lpcvd(低压化学气相沉积)方式和pvd(物理气相沉积)方式制备的topcon电池其掺杂非晶硅厚度需要做到100nm以上才能避免烧穿现象。在印刷烧结时，银浆料中的辅助添加剂必须经过高温烧结才能与掺杂非晶硅层接触而导出电流，低膜厚的掺杂非晶硅层极易被本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种选择性Poly-Si钝化接触的TOPCon电池，其特征在于，包括在电池背面沉积的多晶硅Poly-Si层，所述多晶硅Poly-Si层包括多晶硅薄层区域和多晶硅厚层区域；

2.根据权利要求1所述的一种选择性Poly-Si钝化接触的TOPCon电池，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种选择性Poly-Si钝化接触的TOPCon电池，其特征在于，包括在电池背面依次沉积的0.3-2.0nm超薄氧化层、30-60nm的薄多晶硅层、0.3-1nm超薄氧化层和90-120nm厚多晶硅层；

4.根据权利要求1所述的一种选择性Poly-Si钝化接触的TOPC...

【技术特征摘要】

1.一种选择性poly-si钝化接触的topcon电池，其特征在于，包括在电池背面沉积的多晶硅poly-si层，所述多晶硅poly-si层包括多晶硅薄层区域和多晶硅厚层区域；

2.根据权利要求1所述的一种选择性poly-si钝化接触的topcon电池，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种选择性poly-si钝化接触的topcon电池，其特征在于，包括在电池背面依次沉积的0.3-2.0nm超薄氧化层、30-60nm的薄多晶硅层、0.3-1nm超薄氧化层和90-120nm厚多晶硅层；

4.根据权利要求1所述的一种选择性poly-si钝化接触的topcon电池，其特征在于，包括正面电极、正面钝化、减反射膜、n型基底、隧穿氧化层、背面选择性多晶硅poly-si层、背面减反射膜和背面电极。

5.一种选择性poly-si钝化接触的topcon电池的制备方法，其特征在于，权利要求1或2所述多晶硅poly-si层的制备方法如下：

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，朱雅，刘大伟，刘军保，
申请(专利权)人：绵阳炘皓新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：