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本发明提出了一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法。属于半导体器件测试技术领域；所述方法包括：进行芯片的版图设计时，引入测试专用的WL、BL和SL；在测试阶段，对所有SL线施加高电平信号，然后依次对所有WL线施加高电平信号，检测MOS管的栅介质...
该专利属于杭州世德云测科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州世德云测科技有限公司授权不得商用。

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