一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法技术

技术编号:43766314 阅读:19 留言:0更新日期:2024-12-24 16:07
本发明专利技术提出了一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法。属于半导体器件测试技术领域;所述方法包括:进行芯片的版图设计时,引入测试专用的WL、BL和SL;在测试阶段,对所有SL线施加高电平信号,然后依次对所有WL线施加高电平信号,检测MOS管的栅介质是否发生击穿;若确定芯片中存在失效的晶体管,则对具体的失效晶体管进行进一步定位,且,再次对所有SL线施加高电平信号,并依次对每个WL线施加高电平信号,观察各BL线的输出。通过系统化的测试步骤,可以迅速定位晶体管栅介质的失效点,减少测试时间和人力成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提出了一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,属于半导体器件测试。


技术介绍

1、随着时间的推移,集成电路产品会不可避免出现损坏。集成电路中的元器件制造完后便开始退化,直到某些关键元件退化到一定程度后集成电路就不可再使用了。利用被动筛选方式检测产品可靠性的方法成本高、周期长,也无法根本性地提高半导体集成电路可靠性。

2、为了降低每个器件的成本并且提高性能,器件几何尺寸不断微缩,器件特征尺寸以当前节点的0.7倍进行微缩,遵循摩尔定律,在半导体的成功中发挥了至关重要的作用。而这种微缩导致材料中的电场升高,使材料更接近其击穿强度及金属中的电流密度升高,从而引起电迁移(electrical migration,em)问题。更高的电场会加剧可靠性问题,例如:介质经时击穿(time dependent dielectric breakdown, tddb)、热载流子注入(hotcarrier injection, hci)和偏压温度不稳定性(bias temperature instability, bti)。

3、栅介质经时击穿(tdd本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S1,包括:

3.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S2,包括:

4.根据权利要求3所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S22,包括:

5.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S3,包括:

6.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S4,包括:>

7.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s1,包括:

3.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s2,包括:

4.根据权利要求3所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s22,包括:

5.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s3,包括:

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:方盼苏绩方运田郭宁徐哲航
申请(专利权)人:杭州世德云测科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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