【技术实现步骤摘要】
本专利技术提出了一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,属于半导体器件测试。
技术介绍
1、随着时间的推移,集成电路产品会不可避免出现损坏。集成电路中的元器件制造完后便开始退化,直到某些关键元件退化到一定程度后集成电路就不可再使用了。利用被动筛选方式检测产品可靠性的方法成本高、周期长,也无法根本性地提高半导体集成电路可靠性。
2、为了降低每个器件的成本并且提高性能,器件几何尺寸不断微缩,器件特征尺寸以当前节点的0.7倍进行微缩,遵循摩尔定律,在半导体的成功中发挥了至关重要的作用。而这种微缩导致材料中的电场升高,使材料更接近其击穿强度及金属中的电流密度升高,从而引起电迁移(electrical migration,em)问题。更高的电场会加剧可靠性问题,例如:介质经时击穿(time dependent dielectric breakdown, tddb)、热载流子注入(hotcarrier injection, hci)和偏压温度不稳定性(bias temperature instability, bti)。
3、栅
...【技术保护点】
1.一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S1,包括:
3.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S2,包括:
4.根据权利要求3所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S22,包括:
5.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S3,包括:
6.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述S4,包括:
>7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s1,包括:
3.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s2,包括:
4.根据权利要求3所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s22,包括:
5.根据权利要求1所述一种高效测量晶体管栅介质击穿的方法,其特征在于,所述s3,包括:
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:方盼,苏绩,方运田,郭宁,徐哲航,
申请(专利权)人:杭州世德云测科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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