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本发明公开了一种数模一体式忆阻器及制备方法与应用，属于忆阻器技术领域。包括衬底层、第一阻变层、第二阻变层和顶电极层；所述第一阻变层设置于所述衬底层上，所述第二阻变层设置于所述第一阻变层上，所述顶电极层设置于所述第二阻变层上；其中，所述第一阻...
该专利属于济南大学所有，仅供学习研究参考，未经过济南大学授权不得商用。

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