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本发明公开了一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路，该电路包括：集成高侧采样运放+LDO+电源电压采样的微控制单元U1，集成高侧MOS内阻采样的功率晶体管Q1/Q2/Q3。该电路节省三电阻采样需要的外置3个采样电阻，节省电阻损耗，简...
该专利属于中微渝芯（重庆）电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微渝芯（重庆）电子科技有限公司授权不得商用。

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