一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路制造技术

本发明专利技术公开了一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路，该电路包括：集成高侧采样运放+LDO+电源电压采样的微控制单元U1，集成高侧MOS内阻采样的功率晶体管Q1/Q2/Q3。该电路节省三电阻采样需要的外置3个采样电阻，节省电阻损耗，简化电路，节省成本，增加可靠性。相比传统MOS内阻采样电路，功率模块集成预驱，集成高侧采样高共模电压差分运放。优势一，不会产生接地干扰；优势二，可以检测电机绕组对地短路。本发明专利技术中MCU集成LDO，集成高侧母线电流采样运放，可以采样到高侧母线电流，降低了故障率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及三相电流采样电路领域，尤其涉及一种集成高侧mos内阻功率模块三相电流采样电路。

技术介绍

1、目前电机控制中，为了采集到电机的相电流，通常做法有：常规3电阻采样法。即在三相桥臂电路的下桥臂分别串联3个采样电阻，在svpwm(空间矢量脉宽调制)的零矢量区获取电机三相电流，采集到的电流再经过运放处理后给mcu处理，此种采样方式需要三个采样电阻，存在能耗损耗，增加故障率和成本。传统mos管内阻采样法。相比传统3电阻采样，外置预驱+mos内阻采样直接采样3相桥臂的下桥臂mos内阻作为采样电阻，此种采样方式mos内阻随温度的变化存在温度漂移，为保证电流精度需做温度补偿，运放处理电路需要外并二极管以防止mos管关断时相电压的高压，运放电路无法采用差分运放结构，共模干扰电压重。

技术实现思路

1、为了克服现有技术存在的缺点与不足，提出一种集成高侧mos内阻功率模块三相电流采样电路。

2、本专利技术提供了一种集成高侧mos内阻功率模块三相电流采样电路，该电路包括：集成高侧采样运放+ldo+电源电压采本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路，其特征在于，该电路包括：集成高侧采样运放+LDO+电源电压采样的微控制单元U1，集成高侧MOS内阻采样的功率晶体管Q1/Q2/Q3；

2.如权利要求1所述的一种集成高侧MOS内阻功率模块三相电流采样电路，其特征在于，所述功率晶体管Q1、Q2、Q3，负责驱动电机；它们的主要接口为：Pin1(GND)，接地；Pin2(IO)，连接控制引脚；Pin3(IN)，连接到微控制单元U1的不同PWM引脚；Pin4(EN)，使能引脚；Pin5-8(OUT&VCC)，控制电机的供电和输出；

3.如权利要求1所述的一种集成高...

【技术特征摘要】

1.一种集成高侧mos内阻功率模块三相电流采样电路，其特征在于，该电路包括：集成高侧采样运放+ldo+电源电压采样的微控制单元u1，集成高侧mos内阻采样的功率晶体管q1/q2/q3；

2.如权利要求1所述的一种集成高侧mos内阻功率模块三相电流采样电路，其特征在于，所述功率晶体管q1、q2、q3，负责驱动电机；它们的主要接口为：pin1(gnd)，接地；pin2(io)，连接控制引脚；pin3(in)，连接到微控制单元u1的不同pwm引脚；pin4(en)，使能引脚；pin5-8(out&vcc)，控制电机的供电和输出；

3.如权利要求1所述的一种集成高侧mos内阻功率模块三相电流采样电路，其特征在于，所述电阻r1，位于电源线，串联在电路中，用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明，杨勇，周彦，
申请(专利权)人：中微渝芯重庆电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：