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本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构、BL结构和第一有源结构，第一半导体结构的掺杂浓度与第一有源结构的掺杂浓度相同，BL结构的掺杂浓度与第一半导体结构的掺杂浓度不同；基于第一有源...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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