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本发明公开了一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，包括：在第一单晶SiC晶圆表面刻蚀形成SiC内导体支撑层；在SiC内导体支撑层上形成第一内导体层和第一外导体层，在第一外导体层上形成第一顶盖层；将第二晶圆与第一顶盖层键合，并对...
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