【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微同轴传输线制备的，尤其涉及一种以sic为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法。
技术介绍
1、微同轴传输线是一种采用mems工艺技术制备的射频器件的基本电路单元，具有空气腔包围内导体的微小矩形微同轴结构。这种微传输线在射频应用上有着诸多优点：如体积小、重量轻、损耗低、高隔离、良散热等特点，是近年来毫米波射频技术的研究热点。
2、现有技术中已经存在多种制备微同轴传输线结构的方法，基本都是采用厚胶光刻、电镀、平坦化的微工艺循环加工方法，空气腔里的金属铜内导体需要采用内导体支撑结构实现悬空固定。且现有技术中的内导体支撑结构的材料一般包括su8光刻胶、形状记忆聚合物等有机物材料。如专利cn110311205a公开了采用su8光刻胶作为内导体支撑材料。专利cn116505220a公开了采用形状记忆聚合物作为内导体支撑材料。
3、微同轴传输线在射频性能上的优越表现，归因于其在结构上形成了近乎空气腔的矩形微同轴结构。其中的金属内导体能够悬空固定在矩形腔体的内部，是因为采用了周期性的介质条带对内导体进行了支撑固定...
【技术保护点】
1.一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，在第一单晶SiC晶圆表面刻蚀形成SiC内导体支撑层，具体包括：
3.根据权利要求1所述的一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，在SiC内导体支撑层上形成第一内导体层和第一外导体层，具体包括：
4.根据权利要求3所述的一种以SiC为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，通过牺牲层掩膜的方式在SiC内导体支撑层中间沉积第一内导体层，具体包
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【技术特征摘要】
1.一种以sic为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种以sic为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，在第一单晶sic晶圆表面刻蚀形成sic内导体支撑层，具体包括：
3.根据权利要求1所述的一种以sic为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，在sic内导体支撑层上形成第一内导体层和第一外导体层，具体包括：
4.根据权利要求3所述的一种以sic为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，通过牺牲层掩膜的方式在sic内导体支撑层中间沉积第一内导体层，具体包括：
5.根据权利要求4所述的一种以sic为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，在第一外导体层上形成第一顶盖层，具体包括：
6.根据权利要求5所述的一种以sic为内导体支撑层的微同轴传输线的制备方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵广宏，许戎戎，
申请(专利权)人：航科新世纪科技发展深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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