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本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种SiC外延片生长装置及方法，在上半月结构下表面位置增加一个可放置挡板的支撑结构，将碳化硅衬底放置在载片盘上，在外延生长前，将挡板放置在支撑结构上，并且挡板位于载片盘上方；在碳化硅衬底外延生长过程中...
该专利属于季华实验室所有，仅供学习研究参考，未经过季华实验室授权不得商用。

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