一种SiC外延片生长装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种SiC外延片生长装置及方法，在上半月结构下表面位置增加一个可放置挡板的支撑结构，将碳化硅衬底放置在载片盘上，在外延生长前，将挡板放置在支撑结构上，并且挡板位于载片盘上方；在碳化硅衬底外延生长过程中，支撑结构通入外部电流能够对挡板加热升温，抑制3C‑SiC的沉积和颗粒生成，在若干次外延生长后，将挡板移出反应室，对挡板进行清洁处理，便于再次使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工，特别涉及一种sic外延片生长装置及方法。

技术介绍

1、第三代半导体碳化硅（sic）具有高击穿场强高、高电子饱和漂移速率、高热导率高、耐高温和抗辐射等性能优势。近年来，sic外延片被用于制备电力电子器件和高频器件，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、5g通信、光伏发电、智能电网等重要领域。目前，业界制备sic外延片采用的主流方法是化学气相沉积法，具有工艺可控性强和稳定性好的优势。业界规模化生产sic外延片使用最多的设备是水平单片式sic外延设备，其优势是sic外延片的厚度均匀性和掺杂浓度均匀性良好，但缺点是sic外延片表面容易产生掉落物致命缺陷。这是由于位于sic外延片上方的上半月下表面温度相对较低，工艺气体容易在上半月下表面生长沉积形成以3c-sic晶型为主的疏松颗粒并随生长厚度的累积而逐渐增多，最终掉落在sic外延片表面形成掉落物缺陷。掉落物是sic外延片的致命缺陷，不仅会使器件失效，而且还会诱发三角形缺陷等其他类型的致命缺陷，导致产品良率严重降低。

2、为了降低掉落物的产生数量和频率，通常的方法是，对反应室破真空，取本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC外延片生长装置，包括装置本体（10），所述装置本体（10）内设有上半月结构（11）和下半月结构（12），所述上半月结构（11）与所述下半月结构（12）之间形成反应室（13），所述下半月结构（12）上设有可以旋转的载片盘（14），其特征在于，所述上半月结构（11）连接有挡板组件（20），所述挡板组件（20）包括固定于所述上半月结构（11）下端并且通电发热的支撑结构（21）、放置于所述支撑结构（21）的挡板（22），所述支撑结构（21）用于对所述挡板（22）加热，所述挡板（22）位于所述载片盘（14）上方。

2.根据权利要求1所述的一种SiC外延片生长装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种sic外延片生长装置，包括装置本体（10），所述装置本体（10）内设有上半月结构（11）和下半月结构（12），所述上半月结构（11）与所述下半月结构（12）之间形成反应室（13），所述下半月结构（12）上设有可以旋转的载片盘（14），其特征在于，所述上半月结构（11）连接有挡板组件（20），所述挡板组件（20）包括固定于所述上半月结构（11）下端并且通电发热的支撑结构（21）、放置于所述支撑结构（21）的挡板（22），所述支撑结构（21）用于对所述挡板（22）加热，所述挡板（22）位于所述载片盘（14）上方。

2.根据权利要求1所述的一种sic外延片生长装置，其特征在于，所述下半月结构（12）上还设有通过气动旋转的气悬浮装置（15），所述载片盘（14）放置于所述气悬浮装置（15）上。

3.根据权利要求1所述的一种sic外延片生长装置，其特征在于，所述支撑结构（21）包括两个电热支架（211）、连接于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张南，彭定强，黄吉裕，郭嘉杰，伍三忠，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：