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本申请公开了一种功率开关器件,包括衬底层、外延层、栅极结构和场板结构。栅极结构为平面栅级结构。在功率开关器件的第一表面上,平面栅极结构位于功率开关器件的第一表面,并且在与所述第一表面平行的水平面上具有网眼状结构。本申请功率开关器件,将平面栅...该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种功率开关器件,包括衬底层、外延层、栅极结构和场板结构。栅极结构为平面栅级结构。在功率开关器件的第一表面上,平面栅极结构位于功率开关器件的第一表面,并且在与所述第一表面平行的水平面上具有网眼状结构。本申请功率开关器件,将平面栅...