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本技术提供一种LDMOS器件和电子设备，LDMOS器件包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底的表面上；源区与漏区，自所述衬底的表面延伸至所述衬底中，且位于所述栅极结构的两侧；场氧化层，覆盖所述漏区的至少部分表面并延伸至覆盖所述栅极结构靠近所述漏...
该专利属于荣芯半导体（淮安）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过荣芯半导体（淮安）有限公司授权不得商用。

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