一种LDMOS器件及电子设备制造技术

本技术提供一种LDMOS器件和电子设备，LDMOS器件包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底的表面上；源区与漏区，自所述衬底的表面延伸至所述衬底中，且位于所述栅极结构的两侧；场氧化层，覆盖所述漏区的至少部分表面并延伸至覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的部分表面；至少一串场板结构，至少一串所述场板结构位于所述场氧化层上且设置于所述栅极结构与所述漏区之间，每串所述场板结构包括多个导电接触场板孔，多个所述导电接触场板孔在与所述衬底的表面平行的平面内呈串排布，且在至少一串所述场板结构的长度延伸方向上、相邻的所述导电接触场板孔之间存在间隔。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体而言涉及一种ldmos器件及电子设备。

技术介绍

1、随着集成电路的不断发展，为了节省面积，往往在同一衬底上同时制备多种器件，例如，在bcd(bipolar-cmos-dmos)工艺中，能够在同一衬底上制备双极管(bipolar)、互补金属氧化物半导体(cmos)和扩散金属氧化物半导体(dmos)。bcd工艺广泛应用于电源管理、显示驱动、电极驱动、汽车电子、工业控制等领域，并主要朝着高压、高功率与高密度等方向发展。

2、在bcd工艺的制程中，往往需要在漏端增加场板技术，来提高横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)器件的击穿电压，为了节省工艺时间及工艺成本，相关技术中，将场板结构与金属接触孔(例如栅极金属接触孔、漏区金属接触孔和源极金属接触孔)同步形成，但由于场板结构为长条形，而金属接触孔为孔状结构，因为图案密度(pattern density)效应，导致场板结构的尺寸/形貌等很难达到目标值。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，包括至少两串场板结构，至少两串所述场板结构沿第一方向排布，其中，所述第一方向为从所述漏区到所述源区的方向且与所述衬底的表面平行。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，每串所述场板结构呈以下任意一种形状排布：直线型、曲线型、折线型。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，至少一串所述场板结构在与所述衬底的表面平行的平面内具有第一投影，所述栅极结构在与所述衬底的表面平行的平面内具有第二投影，所述第一投影和所述第二投影邻接，或者，所述第一投...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，包括至少两串场板结构，至少两串所述场板结构沿第一方向排布，其中，所述第一方向为从所述漏区到所述源区的方向且与所述衬底的表面平行。

3.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，每串所述场板结构呈以下任意一种形状排布：直线型、曲线型、折线型。

4.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，至少一串所述场板结构在与所述衬底的表面平行的平面内具有第一投影，所述栅极结构在与所述衬底的表面平行的平面内具有第二投影，所述第一投影和所述第二投影邻接，或者，所述第一投影和所述第二投影之间存在间隔。

5.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，至少一串所述场板结构包括的多个所述导电接触场板孔在第一方向上具有相同的尺寸，或者，至少一串所述场板结构包括的多个所述导电接触场板孔中的至少部分所述导电接触场板孔在所述第一方向上具有不同的尺寸，所述第一方向为从所述漏区到所述源区的方向且与所述衬底的表面平行。

6.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，多个所述导电接触场板孔在与所述衬底的表面平行的平面内的投影的形状为圆形、椭圆形、矩形中的一种或多种的组合。

7.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，还包括栅极导电接触孔、漏区导电接触孔以及源区导电接触孔，所述栅极导电接触孔电连接所述栅极结构，所述漏区导电接触孔电连接所述漏区，所述源区导电接触孔电连接所述源区，其中，

8.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述ldmos器件包括至少两串场板结构，其中，靠近所述栅极结构的所述导电接触场板孔的孔径大于远离所述栅极结构的所述导电接触场板孔的孔径。

9.如权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉红，司伟，何京涛，
申请(专利权)人：荣芯半导体淮安有限公司，
类型：新型
国别省市：