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本发明公开一种发光二极管芯片制备方法，依次包含在外延片上制作ITO层、生长Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层、沉积SiN<subgt;x</subgt;层、旋涂正性光...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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