一种发光二极管芯片制作方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管芯片制备方法，依次包含在外延片上制作ITO层、生长Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层、沉积SiN<subgt;x</subgt;层、旋涂正性光刻胶掩膜层，然后通过高能离子束轰击的方法将光刻胶掩膜层碳化形成纳米级的山状纹理，再蚀刻SiN<subgt;x</subgt;钝化层及覆盖其上的碳化光刻胶掩膜层，在SiN<subgt;x</subgt;层表面分布形成纳米级的山状纹理，最后将外延片选择性地蚀刻到n‑GaN层形成台阶，并沉积p型和n型金属电极，得到表面形成有纳米级山状纹理的LED器件。本发明专利技术方法可以提高LED器件的出光效率，还有利于提高LED器件抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制作的，更具体地，涉及一种发光二极管芯片制作方法。

技术介绍

1、发光二极管(light-emitting diode，简称led)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件，led以其工作电压低、工作电流很小、抗冲击和抗震性能好、可靠性高、寿命长、绿色环保等特点广泛应用于照明、手机/电视背光显示以及杀菌消毒等领域。

2、随着第三代半导体技术的蓬勃发展，半导体led照明以节能、环保、高亮度、寿命长等优点，成为社会发展的焦点。近年来，led的性能得到大幅提升、生产成本也不断降低，为半导体照明走进千家万户做出了突出贡献。但是，为加快杀菌消毒、手机/电视背光显示等高端应用，led器件还需进一步地提升光效，如何进一步提升led芯片的发光效率是本领域研究的热门课题。

3、因此，提升发光二极管的发光效率是本领域亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种发光二极管芯片制作方法，以提升led器件的出光效率，并且有利于提高led器件抗静电能力。该技术方案无需纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管芯片制作方法，其特征包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述步骤一的ITO层的厚度为100-300nm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述步骤二的Al2O3层的厚度为5-20nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述步骤三的沉积SiNx层，进一步为：

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述步骤四的正性光刻胶掩膜层的厚度为1-3um。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管芯片制作方法，其特征包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述步骤一的ito层的厚度为100-300nm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述步骤二的al2o3层的厚度为5-20nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述步骤三的沉积sinx层，进一步为：

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐平，许亚兵，王建长，汪延明，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：