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本发明一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底，位于衬底上的介质层以及位于介质层表面的掩膜层；采用刻蚀气体以掩膜层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的介质层，形成初始沟槽，刻蚀气体中的碳原子和氟原子的数量比值为第一比值；采用冲洗气体冲洗刻蚀...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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