半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底，位于衬底上的介质层以及位于介质层表面的掩膜层；采用刻蚀气体以掩膜层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的介质层，形成初始沟槽，刻蚀气体中的碳原子和氟原子的数量比值为第一比值；采用冲洗气体冲洗刻蚀后基底，冲洗气体的碳原子和氟原子的数量比值为第二比值，第二比值小于第一比值；利用第二比值小于第一比值，一方面加入冲洗气体，相当于将刻蚀气体内的碳原子进行了稀释，从而有助于减少或者降低含碳副产物，另外一方面氟原子增多，氟原子会将金属的副产物由大分子朝向小分子进行分解，在后续的抽气过程中有助于将金属的副产物去除，从而提升了刻蚀后的掩膜层和介质层表面的洁净度，具有较广泛的适用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

1、半导体晶圆的制造必须历经一些工艺流程。该流程包括诸如蚀刻和光刻等所有不同的半导体晶圆工艺步骤。在传统的制造流程上会包括300-400步骤，其中每一步骤都会影响该半导体晶圆上单芯片的最终电路结构的形成。在传统的制造流程上会区分为两类主要的次工艺。第一种主要的次工艺可称为前段工艺(front end of line，feol)，以及第二种主要的次工艺可称为后段工艺(back end of line，beol)。

2、传统的前端工艺由晶圆的激光标记开始，和接下来浅沟槽隔离的形成、形成p阱和n阱的离子注入、多晶硅的蚀刻，以及诸如晶体管结构的漏极和源极等多种区域的离子注入。后段工艺可包括金属线路的形成，以及在晶圆上不同层的金属线路间过孔接点(viacontacts)的形成。而通常有两层或更多金属层包括金属互相线路。过孔作用在两层金属层之间。后段工艺是前段工艺各层上的装置与芯片上其他电路和芯片外装置的连结。

3、然而，后段工艺的形成质量仍有待提高。</p>
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【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述冲洗气体为碳氟气体和氧气的混合气体，其中所述碳氟气体中所述碳原子的数量与氟原子的数量比值范围为1:8至1:4。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述碳氟气体包括四氟化碳气体。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述冲洗气体冲洗刻蚀后所述基底的过程中采用高源功率范围为800W至1500W，偏置功率范围为0W至15W。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：采用抽气...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述冲洗气体为碳氟气体和氧气的混合气体，其中所述碳氟气体中所述碳原子的数量与氟原子的数量比值范围为1:8至1:4。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述碳氟气体包括四氟化碳气体。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述冲洗气体冲洗刻蚀后所述基底的过程中采用高源功率范围为800w至1500w，偏置功率范围为0w至15w。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：采用抽气工艺抽取反应后的所述刻蚀气体和所述冲洗气体。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抽气工艺的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雁雁，宋泽凯，姚智，王闯，汪健，王玉新，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：