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本申请提供了一种兼容于BCD平台的结型场效应晶体管及其制备方法，其中制备方法中，在刻蚀LDMOS器件区的第二栅极打开第二漂移区的部分表面的同时，刻蚀JFET器件区的第一栅极的中间区域以形成第一开口，打开第一漂移区的部分表面，随后通过离子注入...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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