【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种兼容于bcd平台的结型场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
1、目前基于bcd(bipolar-cmos-dmos，双极型晶体管)平台制备结型场效应晶体管(junction field-effect transistor，jeft)的工艺中，常规需要加一张光罩单独做jfet晶体管的沟道(channel)注入，但是这样增加了流片，导致制备工艺较为复杂，同时也增加了生产成本。
2、此外，目前基于bcd平台制备结型场效应晶体管的工艺中，以n-jfet为例，相较于常规加一张光罩单独做的jfet沟道注入得到的离子注入区，结型场效应晶体管的n型漂移区还是偏浓，靠源/漏(s/d)离子注入(p-plus/p+/重掺杂区)很难关断，可能n-jfet的沟道关断电压vt会大于10v。
技术实现思路
1、本申请提供了一种兼容于bcd平台的结型场效应晶体管及其制备方法，可以解决兼容于bcd平台的结型场效应晶体管传统制备方法需要额外加光罩导致成本增加的问题。
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【技术保护点】
1.一种兼容于BCD平台的结型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的兼容于BCD平台的结型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在形成所述第一体区和所述第二体区之后，所述兼容于BCD平台的结型场效应晶体管的制备方法还包括：
3.根据权利要求1所述的兼容于BCD平台的结型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在形成第一导电类型的阱区一、第二导电类型的阱区二、第二导电类型的阱区三、第一导电类型的阱区四和第二导电类型的阱区五之后，以及在形成多晶硅材料层之前，所述兼容于BCD平台的结型场效应晶体管的制备方法还包括：
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