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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体器件技术领域，包括：衬底；位于衬底一侧表面的功能层；功能层形成有至少一个主晶体管和至少一个辅助晶体管；主晶体管的源端与辅助晶体管的漏端连接；辅助晶体管的源端接地，辅助晶体管的栅端空置或接地...
该专利属于睿思微系统（烟台）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿思微系统（烟台）有限公司授权不得商用。

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