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本发明提供一种氮化镓基HEMT器件及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一衬底；于衬底上方形成成核层并对成核层进行掺杂以呈n型，于成核层上方生长氮化物外延层，氮化物外延层中含有俘获发射电子的缺陷，通过对成核层进行掺杂呈n型以抬升费米能级...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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