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本发明涉及一种由四氯化硅制取三氯氢硅的方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种转化率较高的由四氯化硅制取三氯氢硅的方法。本发明由四氯化硅制取三氯氢硅的方法为：在压力为０．３～０．６Ｍｐａ的氢化炉内通入摩尔比为０．１５～０...
该专利属于乐山乐电天威硅业科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过乐山乐电天威硅业科技有限责任公司授权不得商用。

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