温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种静电放电半导体器件及其制造方法，静电放电半导体器件包括：衬底；外延层；第一掺杂类型的第一阱区，从外延层表面延伸至衬底表面；具有第二掺杂类型的第二阱区和第三阱区，分别位于第一阱区两侧；具有第二掺杂类型的第四阱区，位于第一阱区中...
该专利属于杰华特微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。