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本发明提出了一种具有载流子泄漏抑制层的半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体，量子阱和p型半导体，所述p型半导体与量子阱之间设置有第一载流子泄漏抑制层和第二载流子泄漏抑制层，且所述第一载流子泄漏抑制层位于所述第二载流子泄漏抑...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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