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GaP纳米晶的合成方法技术
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文档序号:4363670
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本发明公开了一种GaP纳米晶的合成方法,包括以下步骤:(1)将干燥过的苯加入到不锈钢反应釜中,高速搅拌20-30min,再加入一定量的镓和黄磷;(2)用氮气排空气后封釜,加热至150-180℃恒温12-36小时;(3)反应完成后自然冷却至室...
该专利属于崔园萍所有,仅供学习研究参考,未经过崔园萍授权不得商用。
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