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本发明提供一种基于TiO<subgt;2</subgt;/ReS<subgt;2</subgt;异质结自整流忆阻器阵列的制备方法及其应用。所述忆阻器阵列中单个器件的结构由下至上依次为FTO导电衬底、TiO<su...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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