一种基于TiO2/ReS2异质结自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种基于TiO<subgt;2</subgt;/ReS<subgt;2</subgt;异质结自整流忆阻器阵列的制备方法及其应用。所述忆阻器阵列中单个器件的结构由下至上依次为FTO导电衬底、TiO<subgt;2</subgt;/ReS<subgt;2</subgt;异质结功能层和Au顶电极。本发明专利技术首次使用二氧化钛/二硫化铼作为忆阻器的功能层，TiO<subgt;2</subgt;作为忆阻器功能层的经典材料其具有良好的阻变和突触特性。与ReS<subgt;2</subgt;复合形成异质结之后改变器件的能带结构，提升器件的自整流性能。此特性可以抑制大规模交叉开关阵列中的潜行电流效应，极大地提高阵列的集成度，大幅降低阵列的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机材料二维异质结和信息存储，具体涉及一种tio2/res2自整流异质结忆阻器阵列、制备方法及其应用。

技术介绍

1、近年来,人工智能、物联网等领域的快速发展,对海量数据的快速高效处理提出了更高的要求.基于冯·诺依曼架构的传统计算系统,由于存储器和处理器的物理分离导致了“存储墙”瓶颈，难以实现高效的数据处理。忆阻器因其并行信息处理、低功耗且具有存储和计算一体等优点，使其在处理高维和非结构化数据方面显示出巨大优势，被认为是未来存储和神经形态计算技术的主要候选者。

2、金属氧化物中的本征缺陷或离子的分布是决定忆阻器性能的关键因素，氧空位又是其中的主要因素。忆阻器中的局部氧空位密度分布会随着外加电场而发生变化，进而使器件的电导发生改变。所以控制氧空的分布和随电场的运动是提升忆阻器性能的关键。据报道，金属纳米颗粒的插入可以提升忆阻器性能。然而，金属纳米颗粒的大尺寸和随机分布会阻碍在更大的区域内实现器件间性能的可重复性。二维过渡金属双硫化物(tmds)由于其独特的化学和物理性质，被应用于许多新兴研究领域。二硫化铼作为一种新型tmd，具有合适本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于TiO2/ReS2异质结自整流的忆阻器阵列，其特征在于，所述基于TiO2/ReS2异质结自整流的忆阻器阵列的最下层为导电玻璃，所述导电玻璃的导电面上设置有二氧化钛层，所述二氧化钛层上设置有二硫化铼层；所述二氧化钛层与所述二硫化铼层形成异质结结构，所述二硫化铼层上设置有若干互不相连的金电极；

2.如权利要求1所述的一种基于TiO2/ReS2异质结自整流的忆阻器阵列，其特征在于，

3.一种基于TiO2/ReS2异质结自整流的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的一种基于TiO2/ReS2异质结自整流的忆阻器阵列...

【技术特征摘要】

1.一种基于tio2/res2异质结自整流的忆阻器阵列，其特征在于，所述基于tio2/res2异质结自整流的忆阻器阵列的最下层为导电玻璃，所述导电玻璃的导电面上设置有二氧化钛层，所述二氧化钛层上设置有二硫化铼层；所述二氧化钛层与所述二硫化铼层形成异质结结构，所述二硫化铼层上设置有若干互不相连的金电极；

2.如权利要求1所述的一种基于tio2/res2异质结自整流的忆阻器阵列，其特征在于，

3.一种基于tio2/res2异质结自整流的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的一种基于tio2/res2异质结自整流的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述盐酸的浓度为6mol/l；所述钛酸四丁脂和盐酸的体积比为1.67％。

5.如权利要求3所述的一种基于tio2/res2异质结自整流的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，所使用的前体溶液为ch4n2s为58mg和nareo4为20mg分散到18ml的去离子水中。

6.如权利要求3所述的一种基于tio2/res2异质结自整流的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述溶剂热反应的处理条件为：在150℃下加热12h；所述步骤(5)中，所述溶剂热反应的处理条件为：在210℃下加热6h。

7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙丽媛，陈佳辉，吕罡阳，王敦辉，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：