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一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于部分所述衬底表面的存储栅结构，所述存储栅结构包括隧穿氧化层、位于所述隧穿氧化层上的电荷俘获层、位于所述电荷俘获层上的阻挡层、以及位于所述阻挡层表面的栅极层，所述阻挡层的介电常数大于所述电荷...
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