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本发明涉及集成电路技术领域，且公开了一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，包括以下步骤：步骤一、准备电解槽；步骤二、准备材料高纯硫酸铜、高纯硫酸、氨水、高纯去离子水、聚乙烯吡咯烷酮、氯化亚锡、苯并咪唑类化合物、烷基苯磺酸钠、纳米氧化...
该专利属于河南新国玺半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南新国玺半导体材料有限公司授权不得商用。

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