【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，具体为一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法。
技术介绍
1、在集成电路（ic）的生产过程中，电镀技术用于形成铜互联线，这对于芯片的电气性能至关重要，高纯硫酸铜基础电镀液是其中的一种关键材料，其主要作用是确保电镀层具有良好的导电性、耐腐蚀性以及均匀性，高纯硫酸铜基础电镀液是一种用于电镀工艺中的电解液，其主要成分是硫酸铜，这种电镀液的主要功能是在电镀过程中提供铜离子，并在基板上形成均匀的铜层，其纯度直接影响电镀质量及集成电路的最终性能，电镀液的纯度要求非常高，通常需要金属杂质含量低于10ppm，有机杂质含量也要控制在极低水平，高纯硫酸铜基础电镀液在集成电路制造中扮演着重要角色，其高纯度确保了电镀层的高质量和高性能，通过优化制备方法，可以有效提高电镀液的纯度和稳定性，满足现代集成电路生产的高要求，这种电镀液的使用不仅提高了集成电路的质量和生产效率，还在环保和经济效益方面具有显著优势，因此，掌握高纯硫酸铜电镀液的制备技术对于推进集成电路技术的发展具有重要意义。
2、在现有的集成电路用高纯硫酸铜基础电镀...
【技术保护点】
1.一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，电解槽采用聚丙烯或聚四氟乙烯材料制成，阳极材料选择高纯电解铜板，阴极材料选择铂板或铜合金，阳极和阴极之间安装单向膜。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，各原材料的重量比为高纯硫酸铜：7%；高纯硫酸：2.5%；氨水：1%；高纯去离子水：88.78%；聚乙烯吡咯烷酮：0.3%；氯化亚锡：0.05%；苯并咪唑类化合物：...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，电解槽采用聚丙烯或聚四氟乙烯材料制成，阳极材料选择高纯电解铜板，阴极材料选择铂板或铜合金，阳极和阴极之间安装单向膜。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，各原材料的重量比为高纯硫酸铜：7%；高纯硫酸：2.5%；氨水：1%；高纯去离子水：88.78%；聚乙烯吡咯烷酮：0.3%；氯化亚锡：0.05%；苯并咪唑类化合物：0.05%；烷基苯磺酸钠：0.02%；纳米氧化铝：0.3%。
4.根据权利要求3所述的一种集成电路用高纯硫酸铜基础电镀液的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，采用的高纯硫酸铜纯度、高纯硫酸纯度、去离子水电阻率。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路用...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈煜宏，宋保山，杨彦春，
申请(专利权)人：河南新国玺半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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