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本发明公开了一种α相硒化铟的生长方法及其应用，该方法包括：使用双温区管式炉，沿气流方向将硒粉和氧化铟粉末分别放置在上游和下游，生长衬底于氧化铟粉末正上方倒置；首先通入惰性气体清洗炉内空气，然后再预热除去杂质，最后再通入还原性气体，在目标温度...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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