一种α相硒化铟的生长方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种α相硒化铟的生长方法及其应用，该方法包括：使用双温区管式炉，沿气流方向将硒粉和氧化铟粉末分别放置在上游和下游，生长衬底于氧化铟粉末正上方倒置；首先通入惰性气体清洗炉内空气，然后再预热除去杂质，最后再通入还原性气体，在目标温度下进行化学气相沉积，得到二维α‑In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;薄膜。本发明专利技术的方法操作简便、重复性高，可制备出大面积的α‑In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;原子级薄膜，薄膜生长质量较好、表面平整度高，可用于制备场效应晶体管，具有作为记忆储存器件的潜力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料，具体是涉及一种α相硒化铟的生长方法及其应用。

技术介绍

1、近年来，二维(2d)层状范德华(vdw)材料因具有机械柔韧性、界面无悬垂键和高载流子迁移率等优异的物理性能而引起了广泛的科学兴趣。最近，低维硒化铟，尤其是2d硒化铟，在实验和理论领域都受到了相当多的关注，在纳米电子学、光电子学、热电学、非易失性存储器件、气体传感器和应变传感器等领域都有广泛的应用。

2、硒化铟具有多种晶相，包括三个常见相(α、β和γ)和五个不常见相(δ、κ、α′、β′和γ′)，使其能够获得多种物理性质。α相、α′相、β相、δ相和κ相具有层状结构，而γ相具有缺陷的纤锌矿结构。此外，基于堆叠序列，α相具有六边形(2h)和菱面体(3r)堆叠形式，β相具有三角形(1t)、2h和3r结构。带隙很大程度上取决于晶体的厚度。当晶体变薄时，会发生直接到间接的带隙跃迁。in2se3相的状态随压力和温度变化，尤其是β、β′以及α相in2se3之间的能量差异很小，它们之间的相变很容易激发。

3、α-in2se3是一种独特的铁电体，它同时沿面内(ip)和面外(o本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种α相硒化铟的生长方法，其特征在于：使用双温区管式炉，沿气流方向将硒粉和氧化铟粉末分别放置在上游和下游，生长衬底于氧化铟粉末正上方倒置；首先通入惰性气体清洗炉内空气，然后再预热除去杂质，最后再通入还原性气体，在目标温度下进行化学气相沉积，得到二维α-In2Se3薄膜。

2.根据权利要求1所述的α相硒化铟的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求1或2所述的α相硒化铟的生长方法，其特征在于：硒粉和氧化铟粉末的质量比为3:1。

4.根据权利要求1或2所述的α相硒化铟的生长方法，其特征在于：所述生长衬底为新鲜剥离的氟金云母片。

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【技术特征摘要】

1.一种α相硒化铟的生长方法，其特征在于：使用双温区管式炉，沿气流方向将硒粉和氧化铟粉末分别放置在上游和下游，生长衬底于氧化铟粉末正上方倒置；首先通入惰性气体清洗炉内空气，然后再预热除去杂质，最后再通入还原性气体，在目标温度下进行化学气相沉积，得到二维α-in2se3薄膜。

2.根据权利要求1所述的α相硒化铟的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求1或2所述的α相硒化铟的生长方法，其特征在于：硒粉和氧化铟粉末的质量比为3:1。

4.根据权利要求1或2所述的α相硒化铟的生长方法，其特征在于：所述生长衬底为新鲜剥离的氟金云母片。

5.根据权利要求1或2所述的α相硒化铟的生长方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：章伟，余得宝，胡雪峰，于文娟，张国鹏，穆晴晴，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：

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