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半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:43602600
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半导体装置(1)具备:半导体层(40);第1纵型MOS晶体管(10)及第2纵型MOS晶体管(20),形成于半导体层(40);金属层(30),与半导体层(40)的背面侧整面接触连接;以及支承体(42),经由导电性粘接剂(41)而与金属层(30...
该专利属于新唐科技日本株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过新唐科技日本株式会社授权不得商用。
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